半導體系列

氧化物晶體生長爐

氧化物晶體生長爐

產品應用:Sapphire Crystal、LN Ingot、LT Ingot、SiC
  • 氧化物晶體生長爐1-1.jpg
  • 氧化物晶體生長爐2-1.png
詳細介紹
操作溫度2200~2400
加熱場方式:電阻式或感應式